Soft

Самсунг приступила к массовому производству 10-нм чипов

Самсунг приступила к массовому производству 10-нм чипов”

Профессионалы южнокорейской компании Самсунг Electronics запустили серийный выпуск полупроводников с транзистором длиной 10 нм. Разработка полупроводников длиной 10 нанометров планировалась на 2016 г, однако ее перенесли на конец 2017 г.

В процессе производства применяются транзисторы с 3D-структурой. В сравнении с 14-нм техпроцессом, как объясняет Самсунг, новый 10-нм техпроцесс дает возможность на 30% повысить эффективность применения площади процессора, на 27% поднять скорость переключения транзисторов, либо снизить энергопотребление на 40%.

Самсунг Electronics объявила о начале массового производства полупроводниковых микросхем по 10-нанометровым FinFET технологическим нормам.

Запуск производства 10-нм транзисторов удовлетворяет т. н. закону Мура. Специалисты считают, что следующие флагманские мобильные телефоны и планшеты Самсунг получат именно такие процессоры. Закон, сформулированный в давно минувшем 1965 сооснователем Intel Гордоном Муром, гласит, что количество транзисторов, умещающихся на интегральной схеме, будет удваиваться каждые два года. Большая часть предъявленных сегодня на рынке чипов оборудована транзисторами, произведенными по 20-нанометровому техпроцессу.

Одними из первых чипов, сделанных на новоиспеченной производственной линии Самсунг Electronics станут системы-на-чипе Qualcomm Snapdragon 830.



Похожие новости

Последнее




Рекомендуемые